爱游戏体育网页版:硅电容专题报告：MLCC进阶计划浸透率有望敏捷折腰

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  MLCC潜在代替计划，浸透率有望敏捷折腰。跟着GPU、HBM和AI加速器功耗快速攀升，传统MLCC与PCB级供电系统现已难以满意超高频、低电压、大电流场景下的安稳供电需求。相对而言，硅电容具有密度高，低ESL等特色，可直接嵌入先进封装、光模块、硅中介层（Interposer）与GPU/HBM周边，完成更短的供电回路与更低的电压下跌，然后满意AI芯片不断的进步的瞬态供电需求。

  与传统的多层陶瓷电容器（MLCC）比较，它首要有四大优势。1）容值密度高：1mm厚度的硅电容即可等效80层陶瓷层的有用电容面积（约3-4mm）；2）温度安稳性佳：125-150°C根本没温漂现象；3）老化较慢：老化速率为MLCC的1/10；4）尺度较小：最低能够低至50微米。硅电容现在正处于从技能可行向大规模量产的过度阶段。

  潜在商场空间宽广，TAM可达百亿级。依据QY Research测算，全球硅电容器商场估计将从2024年的10.65亿美元添加到2031年的18.15亿美元，2024年至2031年期间的年均添加率（CAGR）为7.90%。这一添加首要遭到微型化电子设备以及高性能电容器需求添加的驱动。随技能渐渐的折腰，对高效能、尺度细巧的电容器需求渐渐地增大，硅电容潜在商场开展空间可达百亿级。