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  新华网南京5月21日电（记者潘晔）21日，南京理工大学与姑苏源拓真空技能有限公司在南京签署协议，共建“薄膜堆积颠覆性研制技能中心”。该中心将聚集高端半导体配备中心环节，联合攻关长时间被海外独占的先进制程薄膜堆积技能，旨在推进该要害配备的自主可控。

  半导体薄膜堆积设备是芯片制作的三大中心设备之一，其技能长时间被国外企业主导。研制中心的建立，旨在整合高校前沿科研才能与企业的工程化及商场才能，一起打破这一“卡脖子”环节。

  “向更先进制程跨进，需求基础研究的继续支撑。”源拓真空公司董事长叶育州表明，企业已在相关设备验证上获得打破，此次协作是冲击顶级商场的要害一步。南京理工大学相关担任这个的人说，校园将依托在电子信息、集成电路等范畴的学科优势，派出团队展开联合技能攻关与人才教育训练，加快立异链与工业链的交融。

  据悉，两边将环绕中心技能攻坚、省级实验室建造、专利效果转化等方向展开工作，力求将中心建造成为校企深层次地交融的演示渠道，为我国半导体工业高水平质量的开展供给配备与技能支撑。（完）

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